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半導體工藝方法和半（bàn）導體工藝設備（bèi）與流程
發布（bù）時間：
2023-04-14
在自動化半導體（tǐ）生產線上（shàng），半導體工藝設備(如，立（lì）式熱（rè）處理爐)的控製係統通常以任務(job)為單位控製半導體工（gōng）藝組件(例如，可包括反應腔室、機械手等)完成（chéng）半導體工藝，即，控製係統逐個任務地執行半導體工藝，每一晶圓加工任（rèn）務的任（rèn）務信息均包括晶圓傳入反應腔室至完成工藝後傳出工藝腔室的整（zhěng）個加（jiā）工工序的流程信息。
例如，晶（jīng）圓加工任（rèn）務信息可以包含傳輸配方(load map recipe)和工藝（yì）配方（fāng）(process recipe)，其中，傳輸（shū）配方包含晶（jīng）圓(wafer)的傳輸路（lù）徑以及（jí）各工位（wèi）的位置分布情況（kuàng）等，工藝配方為涉及晶圓加工工藝的指（zhǐ）令集合，用戶可以通過編輯（jí）工藝（yì）配方中的各工藝步(step)來設置加工晶圓的必要控（kòng）製條件，如溫度、氣（qì）體、壓力、時間等，使晶圓的表麵上形成（chéng）所需的（de）薄膜。
隨著半導體工藝設備所執（zhí）行的晶圓加工任務逐漸增加，反應腔室（shì）(如，立（lì）式熱處理爐的爐管)內部沉積的薄膜厚度也隨之增加，因此（cǐ）為避免（miǎn）該薄膜（mó）影響半導體工藝的正常進行，通（tōng）常需每（měi）隔一段時間對反應腔室內部進行清潔，以保證晶圓成膜（mó）的合（hé）格率和（hé）設備的使用壽（shòu）命。
具體地，工作人員（yuán）在觀測（cè）到反應腔室（shì）內部沉積的薄膜厚度較厚時，對控製係統進行手動操作，使控製係統在完成當前晶圓加工任務後，控製半導體工藝組件（jiàn）執行腔室清潔任務，而後再手動操作控製係統，使之繼（jì）續控製半導體工藝組件執（zhí）行下一晶圓加工任務。
該腔（qiāng）室（shì）清（qīng）潔任務的信息可包含清潔工藝配方(purge recipe)，具體（tǐ）可包含將晶舟(boat)升至爐管(tube)的頂端（duān），使爐管（guǎn）處於封閉狀態，並（bìng）向封閉的爐管環境中通入特殊氣體，進而通過物理或化學方式將（jiāng）爐（lú）管內壁和晶舟表（biǎo）麵的雜質去除並排出的一係列指令集合。
然而，在現有技術（shù）中，不僅反應腔室內部沉積的薄膜厚（hòu）度需要人工觀測、記錄，腔室清（qīng）潔任務前（qián）後也需要操（cāo）作人員手動操作控製係（xì）統改變（biàn）任務狀態，不僅容易存在較大的人為記錄誤差，還需要耗（hào）費大（dà）量人力及人工操作時（shí）間，延長了停工時間(downtime)和維護保養時（shí）間(maintenancetime)，影響（xiǎng）半導體工藝生產線的生（shēng）產節奏。
因此，如何提供一種（zhǒng）能（néng）夠實現自動化清潔反應（yīng）腔室的半導體工藝（yì）方法及半（bàn）導體工藝設備，成為本領域亟待解決的技術問題（tí）。
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